Gigant magnit qarshilik sahifasining manbasini koʻrish

'''Gigant magnit qarshilik, ulkan magnit qarshilik, GMR'''<ref name="Nikitin04">{{статья|ссылка=http://window.edu.ru/resource/222/21222/files/0402_092.pdf|автор=Никитин С. А.|заглавие=Гигантское магнитосопротивление|год=2004|язык=|издание=Соросовский обозревательный журнал|тип=|том=8|номер=2|страницы=92—98|doi=|archivedate=2022-01-28|archiveurl=https://web.archive.org/web/20220128155248/http://window.edu.ru/resource/222/21222/files/0402_092.pdf}}</ref> ({{lang-en|Giant magnetoresistance}}, {{lang-en2|GMR}}) – oʻzgaruvchan [[Ferromagnitlar|ferromagnit]] va [[Elektr oʻtkazuvchanlik toki|oʻtkazuvchi magnit boʻlmagan]] qatlamlardan tashkil topgan yupqa metall plyonkalarda kuzatilgan [[Kvant mexanika|kvant mexanik]] taʼsiri. Taʼsir, qoʻshni magnit qatlamlarning [[Magnitlanish|magnitlanish]]ining oʻzaro yoʻnalishi oʻzgarganda, bunday strukturaning [[Elektr qarshilik|elektr qarshiligi]]ning sezilarli oʻzgarishidan iborat. Magnitlanish yoʻnalishini, masalan, tashqi [[Magnit maydon|magnit maydonni]] qoʻllash orqali boshqarish mumkin. Effekt spin yoʻnalishiga bogʻliq boʻlgan [[elektron|elektronlarning]] tarqalishiga asoslangan. 1988-yilda ulkan magnit qarshilikni kashf etgani uchun fiziklar [[Albert Fert]] (Parij-Sud XI universiteti) va Peter Grünberg (Jülich tadqiqot markazi) 2007-yilda [[Fizika boʻyicha Nobel mukofoti|fizika boʻyicha Nobel mukofotiga]] sazovor boʻlishgan.

Taʼsirning asosiy qoʻllanilish sohasi [[Qattiq magnit disk|qattiq disklar]], biosensorlar, [[Mikroelektromexanik tizimlar|MEMS]] qurilmalari va boshqalardagi maʼlumotlarni oʻqish uchun foydalaniladigan magnit maydon sensorlaridir. Ulkan magnitoqarshilikka ega boʻlgan koʻp qatlamli tuzilmalar [[magnitorezistiv tezkor xotira]]<nowiki/>da bir [[Bit (oʻlchov birligi)|bit]] axborotni saqlaydigan elementlar sifatida ishlatilgan.

Adabiyotlarda gigant magnit qarshiligi atamasi baʼzan koʻp qatlamli tuzilish bilan bogʻliq boʻlmagan ferro va [[antiferromagnit]] [[Yarimoʻtkazgichning turlari|yarim oʻtkazgichlarning]]<ref name="Nagaev962">{{статья|автор=Э. Л. Нагаев.|заглавие=Манганиты лантана и другие магнитные проводники с гигантским магнитосопротивлением|ссылка=http://ufn.ru/ru/articles/1996/8/b/|язык=ru|издание=[[Успехи физических наук]]|тип=|год=1996|том=166|номер=8|страницы=833—858|doi=10.3367/UFNr.0166.199608b.0833|издательство=[[Физический институт имени П. Н. Лебедева РАН|Российская академия наук]]|archivedate=2013-09-14|archiveurl=https://web.archive.org/web/20130914013006/http://ufn.ru/ru/articles/1996/8/b/}}</ref><ref name="Rao98">{{книга|заглавие=Colossal Magnetoresistance, Charge Ordering and Related Properties of Manganese Oxides|ответственный=Ed. by C. N. R. Rao and B. Raveau|издательство=World Scientfic Publishing Co|год=1998|pages=2|allpages=356|isbn=978-981-02-3276-4}}</ref> [[Katta magnit qarshilik|katta magnit qarshiligi]] (KMQ) bilan adashtirib yuboriladi.

== Matematik formula ==
Magnetor qarshilik – namunaning [[Elektr qarshilik|elektr qarshiligi]]<nowiki/>ning tashqi [[magnit maydon]] kattaligiga bogʻliqligi. Bu qiymat bilan raqamli xarakterlanadi.

: <math>\delta_H = \frac{R(0)-R(H)}{R(0)},</math>

Bu yerda <math>R(0)</math> – magnit maydon boʻlmaganda namunaning qarshiligi va <math>R(H)</math> esa – <math>H</math> kuchlanganlikdagi [[magnit maydon]]<nowiki/>idagi uning qarshiligidir<ref name="Hirota02">{{книга|автор=Hirota, E., Sakakima, H., Inomata, K.|заглавие=Giant Magneto-Resistance Devices|издательство=Springer|год=2002|pages=30|allpages=177|isbn=978-3-540-41819-1}}</ref><ref>{{статья|ссылка=http://www.chem.msu.su/rus/jvho/2001-5-6/32.pdf|автор=Я. М. Муковский.|заглавие=Получение и свойства материалов с колоссальным магнетосопротивлением|год=2001|язык=|издание=Рос. хим. ж|тип=|том=XLV|номер=5—6|страницы=32—41|doi=|archiveurl=https://web.archive.org/web/20121018120152/http://www.chem.msu.su/rus/jvho/2001-5-6/32.pdf|archivedate=2012-10-18}}</ref>. Amalda, ifoda belgisida farq qiluvchi va [[Elektr qarshilik|elektr qarshiligi]]<nowiki/>dan foydalanadigan muqobil yozuv shakllari ham qoʻllaniladi<ref name="Nikitin044">{{статья|ссылка=http://window.edu.ru/resource/222/21222/files/0402_092.pdf|автор=Никитин С. А.|заглавие=Гигантское магнитосопротивление|год=2004|язык=|издание=Соросовский обозревательный журнал|тип=|том=8|номер=2|страницы=92—98|doi=|archivedate=2022-01-28|archiveurl=https://web.archive.org/web/20220128155248/http://window.edu.ru/resource/222/21222/files/0402_092.pdf}}</ref><ref name="Nagaev96">{{статья|ссылка=http://ufn.ru/ru/articles/1996/8/b/|автор=Э. Л. Нагаев.|заглавие=Манганиты лантана и другие магнитные проводники с гигантским магнитосопротивлением|год=1996|язык=ru|издание=[[Успехи физических наук]]|издательство=[[Физический институт имени П. Н. Лебедева РАН|Российская академия наук]]|тип=|том=166|номер=8|страницы=833—858|doi=10.3367/UFNr.0166.199608b.0833|archiveurl=https://web.archive.org/web/20130914013006/http://ufn.ru/ru/articles/1996/8/b/|archivedate=2013-09-14}}</ref>. <!-- Bunday formulalarda <math>\delta_H</math> koeffitsientining mutlaq qiymati eng katta va shuning uchun ular keng qoʻllaniladi.<ref name="Rao98"/>, odnako-->Baʼzan ular qarshilik oʻzgarishining nol maydonidagi qiymatiga nisbatidan foydalanadilar<ref name="Pippard09_8">{{книга|автор=Alfred Brian Pippard.|заглавие=Magnetoresistance in Metals|издательство=Cambridge University Press|год=2009|volume=2|pages=8|allpages=268|серия=Cambridge Studies in Low Temperature Physics|isbn=9780521118804}}</ref>.

„Ulkan magnit qarshilik“ atamasi kattalikni koʻrsatadi <math>\delta_H</math> koʻp qatlamli tuzilmalar uchun [[anizotrop magnit qarshilik]]<nowiki/>dan sezilarli darajada oshadi, odatda bir necha foizdan oshmaydi<ref name="Chappert074">{{статья|заглавие=The emergence of spin electronics in data storage|издание=[[Nature Materials]]|том=6|страницы=813—823|doi=10.1038/nmat2024|ссылка=http://www.nature.com/nmat/journal/v6/n11/abs/nmat2024.html|язык=en|автор=Claude Chappert, Albert Fert and Frédéric Nguyen Van Dau|год=2007|тип=journal|archivedate=2016-11-20|archiveurl=https://web.archive.org/web/20161120173735/http://www.nature.com/nmat/journal/v6/n11/abs/nmat2024.html}}</ref><ref name="Hirota02_232">{{книга|автор=Hirota, E., Sakakima, H., Inomata, K.|заглавие=Giant Magneto-Resistance Devices|издательство=Springer|год=2002|pages=23|allpages=177|isbn=978-3-540-41819-1}}</ref>.

== Kashfiyot tarixi ==
[[File:GMR ru.svg|thumb|320px|right|GMS, Albert Fert va Piter Grünberg natijalari (1988): 4,2 K haroratda Fe / Cr super panjaralarining qarshiligining oʻzgarishi H [[Magnit maydon kuchi|kuchining tashqi]] [[Magnit maydon|magnit maydoni]] qoʻllanilganda tashqi maydon va oqim oʻq boʻylab yoʻnaltiriladi [[Vays indekslari|[110]]]. Oʻngdagi oʻq erishilgan eng katta foiz oʻzgarishini koʻrsatadi. Hs ''H''<sub>s</sub> – toʻyinganlik maydoni<ref group="Izoh">Sxema magnit gisterezis mavjudligini aks ettirmaydi, chunki uning sirtmogʻining shakli oʻta toʻrda magnitsiz qatlamning qalinligiga sezilarli darajada bogʻliq. Fert tajribalarida toʻyinish maydoni taxminan 4 kGs va qoldiq magnitlanish toʻyinish magnitlanishining taxminan 60% ni tashkil qiladigan yaxshi ifodalangan gisterezis, magnitsiz qatlam qalinligida kuzatildi <math>d_{Cu}=1,8</math> Lekin kamayganda <math>d_{Cu}</math> eng katta erishilgan GMS ga mos keladigan 0,9 nm qiymatgacha, sirtmoq 20 kGs toʻyinish maydoni va kichik qoldiq magnitlanish bilan tor choʻzilgan shaklgacha qisqartirildi. ('''Yana qarang''': {{статья|автор=Baibich&nbsp;M.&nbsp;N et al.|заглавие=Giant Magnetoresistance of (001)Fe/(001)Cr Magnetic Superlattices|год=1988|язык=und|издание=PRL|том=61|номер=21|страницы=2472—2475|doi=10.1103/PhysRevLett.61.2472}})</ref>.]] GMS taʼisiri eksperimental ravishda 1988-yilda bir-biridan mustaqil ravishda ikkita ilmiy guruh tomonidan kashf etilgan: Albert Fert va Piter Grünberg laboratoriyalari. Ushbu kashfiyotning amaliy ahamiyati 2007-yilda Fert va Grünbergga [[fizika boʻyicha Nobel mukofoti]] berilishi bilan qayd etildi<ref>{{cite web |url=http://nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/2007/index.html |title=The Nobel Prize in Physics 2007 |author= |date= |work= |publisher=The Official Web Site of the Nobel Prize |access-date=2011-02-27 |lang=en |archive-url=https://www.webcitation.org/60pw08KmP?url=http://nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/2007/index.html |archive-date=2011-08-10}}</ref>.

=== Dastlabki davr ===
[[Spin]] mavjudligi sababli materiallarning [[magnitlanish]]<nowiki/>ining ulardagi oqim tashuvchilarning harakatchanligiga taʼsirini tavsiflovchi birinchi matematik modellar 1936-yilda paydo boʻlgan. Qarshilikning magnit maydonga bogʻliqligi taʼsirini kuchaytirish (yaʼni, <math>\delta_H</math>), potentsialini koʻrsatadigan eksperimental faktlar 1960-yillardan beri maʼlum edi. 1980-yillarning oxiriga kelib, fiziklar [[anizotrop magnit qarshilik]]<nowiki/>ni yaxshi oʻrganib chiqishgan edi<ref name="Seitz57">{{книга|автор=Frederick Seitz, David Turnbull.|заглавие=Advances in Research and Applications|издательство=Academic Press|год=1957|volume=5|pages=31|allpages=455|серия=Solid State Physics|isbn=978-0126077056}}</ref><ref>{{cite web |url=http://www.google.com.ua/patents?id=pMA2AAAAEBAJ&printsec=abstract&zoom=4&source=gbs_overview_r&cad=0#v=onepage&q&f=false |title=New Magnetoresistive Materials |author=Aboaf J. A. |date=1984-10-09 |access-date=2011-04-11 |description=United States Patent No. 4476454 |lang=en |url-status=dead |arxivsana=2013-01-13 |arxivurl=https://archive.today/20130113220821/http://www.google.com.ua/patents?id=pMA2AAAAEBAJ&printsec=abstract&zoom=4&source=gbs_overview_r&cad=0%23v=onepage&q&f=false#v=onepage&q&f=false }}</ref>, biroq bu effekt uchun <math>\delta_H</math> kattaligi bir necha foizdan oshmadi<ref name="Chappert072">{{статья|ссылка=http://www.nature.com/nmat/journal/v6/n11/abs/nmat2024.html|автор=Claude Chappert, Albert Fert and Frédéric Nguyen Van Dau|заглавие=The emergence of spin electronics in data storage|год=2007|язык=en|издание=[[Nature Materials]]|тип=journal|том=6|страницы=813—823|doi=10.1038/nmat2024|archiveurl=https://web.archive.org/web/20161120173735/http://www.nature.com/nmat/journal/v6/n11/abs/nmat2024.html|archivedate=2016-11-20}}</ref>. <math>\delta_H</math> ni oshirish usullarini amaliy oʻrganish [[Molekulyar nurli epitaksiya|molekulyar nur epitaksiyasi]] kabi usullarning paydo boʻlishi bilan imkoniyat yaratildi. Bu usullar qalinligi bir necha [[nanometr]] boʻlgan yupqa koʻp qatlamli plyonkalarni tayyorlash imkonini beradi<ref name="Ферт08">{{статья|ссылка=http://ufn.ru/ufn08/ufn08_12/Russian/r0812_nob_b.pdf|автор=Ферт А.|заглавие=Происхождение, развитие и перспективы спинтроники|год=2008|язык=ru|издание=УФН|том=178|номер=12|страницы=1336—1348|doi=10.3367/UFNr.0178.200812f.1336|archiveurl=https://web.archive.org/web/20110819102215/http://ufn.ru/ufn08/ufn08_12/Russian/r0812_nob_b.pdf|archivedate=2011-08-19}}</ref>.

=== Tajriba va uni tushuntirish ===
Fert va Grünberg ferromagnit va noferromagnit materiallarni oʻz ichiga olgan tuzilmalarning elektr qarshiligi bilan bogʻliq hodisalarni tadqiq qildilar. Xususan, Fert koʻp qatlamli plyonkalarning oʻtkazuvchanligini oʻrgangan boʻlsa, Grünberg 1986-yilda Fe/Cr plyonkalarida antiferromagnit xususiyatli almashinuv taʼsirini kashf etdi<ref name="Ферт08" />.

Effektning kashfiyoti eʼlon qilingan ishda (001) Fe/(001) Cr super panjaralarining magnit qarshiligi oʻrganildi. Ushbu tajribada temir va xrom qatlamlari 20° C atrofida substrat haroratida yuqori vakuumda (001) GaAs ning tanaga markazlashtirilgan kubik panjarasiga yotqizildi<ref name="Baibich88">{{статья|ссылка=http://link.aps.org/abstract/PRL/v61/p2472|автор=M.&nbsp;N.&nbsp;Baibich, J.&nbsp;M.&nbsp;Broto, A.&nbsp;Fert, F.&nbsp;Nguyen Van Dau, F.&nbsp;Petroff, P.&nbsp;Eitenne, G.&nbsp;Creuzet, A.&nbsp;Friederich, and J.&nbsp;Chazelas|заглавие=Giant Magnetoresistance of (001)Fe/(001)Cr Magnetic Superlattices|год=1988|язык=en|издание=[[Physical Review Letters]]|тип=journal|том=61|номер=21|страницы=2472—2475|doi=10.1103/PhysRevLett.61.2472}}</ref>.

Temir qatlamlarining qalinligi 3 nm boʻlganida va ular orasidagi magnit boʻlmagan xrom qatlamining qalinligi 0,9 dan 3 nm gacha oʻzgarganda, super panjaradagi xrom qatlamlari qalinligining oshishi temir qatlamlari va temir qatlamlari orasidagi antiferromagnit birikmani zaiflashtirdi. demagnetizatsiya maydoni. Ikkinchisi ham haroratning 4,2 K dan xona haroratiga koʻtarilishi bilan kamaydi. Magnit boʻlmagan qatlamlarning qalinligining oʻzgarishi histerezis pastadiridagi qoldiq magnitlanishning sezilarli darajada pasayishiga olib keldi. Namuna qarshiligi 4,2 K da tashqi magnit maydonning kattaligiga kuchli bogʻliqligi (50% gacha oʻzgarish) koʻrsatildi. Fertning 1988-yilgi maqolasida yangi effekt anizotrop magnit qarshilik bilan solishtirganda uning muhim kattaligini taʼkidlash uchun ulkan magnit qarshilik deb nomlandi<ref name="Baibich88" /><ref name="Tsymbal01_120">{{книга|автор=Tsymbal E. Y. and Pettifor D. G.|часть=Perspectives of Giant Magnetoresistance|заглавие=Solid state physics|ответственный=Ed. by Henry Ehrenreich, Frederick Seitz, David Turnbull, Frans Spaepen|издательство=Academic Press|год=2001|volume=56|pages=120|allpages=483|серия=Solid State Physics: Advances in Research and Applications|isbn=9780126077568}}</ref>.

Kashfiyot mualliflari, shuningdek, taʼsir elektronlarning super panjaradagi spinga bogʻliq tarqalishiga (qatlamlar qarshiligining magnitlanishning nisbiy yoʻnalishiga va elektron spinlari yoʻnalishiga bogʻliqligiga) asoslanganligini ham taklif qilishdi<ref name="Baibich88" />. Keyingi bir necha yil ichida turli xil joriy yoʻnalishlar uchun GMSning nazariy tavsifi yaratildi. Qatlamlar boʻylab oqim yoʻnalishi (CIP geometriyasi deb ataladi, {{lang-en|current in plane}} —tekislik ichidagi oqim) klassik yaqinlashuvda 1989-yilda R.Kemli tomonidan oʻrganilgan<ref name="Camey89">{{статья|автор=R. E. Camley and J. Barnaś|заглавие=Theory of giant magnetoresistance effects in magnetic layered structures with antiferromagnetic coupling|год=1989|язык=en|издание=[[Physical Review Letters|Phys. Rev. Lett]]|тип=journal|том=63|номер=6|страницы=664—667|doi=10.1103/PhysRevLett.63.664}}</ref>, va kvantda – 1990-yilda P. Levy<ref name="Levi90">{{статья|автор=Peter M. Levy, Shufeng Zhang, Albert Fert|заглавие=Electrical conductivity of magnetic multilayered structures|год=1990|язык=en|издание=[[Physical Review Letters|Phys. Rev. Lett]]|тип=journal|том=65|номер=13|страницы=1643—1646|doi=10.1103/PhysRevLett.65.1643}}</ref>. Qatlamlarga perpendikulyar yoʻnaltirilgan oqim uchun GMS nazariyasi (CPP geometriyasi, {{lang-en|current perpendicular to plane}} – tekislikka perpendikulyar oqim), Jek-Fert nazariyasi sifatida tanilgan, 1993-yilda nashr etilgan<ref name="Valet93" />. Shu bilan birga, CPP geometriyasi amaliy qiziqish uygʻotadi<ref name="Nagasaka05">{{cite web |url=http://www.fujitsu.com/downloads/MAG/vol42-1/paper17.pdf |title=CPP-GMR Technology for Future High-Density Magnetic Recording |author=Nagasaka K. et al. |date=2005-06-30 |publisher=[[Fujitsu]] |access-date=2011-04-11 |lang=en |archive-url=https://www.webcitation.org/60pw0pvc7?url=http://www.fujitsu.com/downloads/MAG/vol42-1/paper17.pdf |archive-date=2011-08-10}}</ref>, 1994-yilda birinchi marta R. Rothmeier tomonidan taklif qilingan unga asoslangan sensorlar CIP asosidagi sensorlarga qaraganda koʻproq sezgirlikni namoyish etadi<ref name="Buschow05">{{книга|автор=K. H. J. Buschow.|заглавие=Concise encyclopedia of magnetic and superconducting materials|ссылка=https://archive.org/details/conciseencyclope00busc|издание=2nd|издательство=Elsevier|год=2005|pages=[https://archive.org/details/conciseencyclope00busc/page/n600 580]|allpages=1339|isbn=9780080445861}}</ref>.

== Nazariya ==

=== Asosiy qoidalar ===

==== Spinga bogʻliq sochilish ====
[[File:Electron density in magnets.svg|thumb|right|300px|Magnit va magnit boʻlmagan metallardagi elektron holatlarning zichligi. '''1''' Uchta mustaqil qatlamning tuzilishi: ikkita [[Ferromagnitlar|ferromagnit]] va bitta magnit boʻlmagan (strelkalar [[magnitlanish]] yoʻnalishini koʻrsatadi). '''2''' Strukturadagi har bir qatlam uchun mos ravishda har xil spin yoʻnalishlariga ega boʻlgan [[Elektron|elektronlar]] uchun [[Elektron zichligi|elektron holatlarning zichligi]]<nowiki/>ni ajratish (strelkalar spin yoʻnalishini koʻrsatadi). '''F''' Fermi darajasi. Eslatma: magnit momentining yoʻnalishi [[Fermi energiyasi|Fermi darajasi]]<nowiki/>dagi umumiy spinga qarama-qarshidir.]] Namunaning elektr qarshiligi koʻplab omillarga bogʻliq boʻlib, ular orasida magnit tartibli materiallarda kristalning magnit pastki panjarasiga elektronlarning tarqalishi, yaʼni kristallografik jihatdan ekvivalent boʻlmagan atomlar toʻplami muhim rol oʻynaydi. oʻz kristall panjarasini tashkil etuvchi nol atom magnit momenti. Tarqalishi atomlarning magnit momentlariga nisbatan elektron spinining yoʻnalishiga bogʻliq. Odatda oʻtkazuvchanlik elektronlari magnit momenti spiniga parallel yoʻnalishga ega boʻlgan atomlar bilan minimal darajada, agar ular antiparallel boʻlsa, maksimal darajada oʻzaro taʼsir qiladi deb taxmin qilinadi. Oʻzaro taʼsir paramagnit holatda ham kuchli boʻladi, bunda atomlarning [[Magnit moment|magnit momentlari]] magnitlanishning belgilangan yoʻnalishisiz tasodifiy yoʻnaltiriladi<ref name="Nikitin045">{{статья|ссылка=http://window.edu.ru/resource/222/21222/files/0402_092.pdf|автор=Никитин С. А.|заглавие=Гигантское магнитосопротивление|год=2004|язык=|издание=Соросовский обозревательный журнал|тип=|том=8|номер=2|страницы=92—98|doi=|archivedate=2022-01-28|archiveurl=https://web.archive.org/web/20220128155248/http://window.edu.ru/resource/222/21222/files/0402_092.pdf}}</ref><ref name="Chappert075">{{статья|заглавие=The emergence of spin electronics in data storage|издание=[[Nature Materials]]|том=6|страницы=813—823|doi=10.1038/nmat2024|ссылка=http://www.nature.com/nmat/journal/v6/n11/abs/nmat2024.html|язык=en|автор=Claude Chappert, Albert Fert and Frédéric Nguyen Van Dau|год=2007|тип=journal|archivedate=2016-11-20|archiveurl=https://web.archive.org/web/20161120173735/http://www.nature.com/nmat/journal/v6/n11/abs/nmat2024.html}}</ref><ref name="Tsymbal01_1222">{{книга|автор=Tsymbal E. Y. and Pettifor D. G.|часть=Perspectives of Giant Magnetoresistance|заглавие=Solid state physics|ответственный=Ed. by Henry Ehrenreich, Frederick Seitz, David Turnbull, Frans Spaepen|издательство=Academic Press|год=2001|volume=56|pages=122|allpages=483|серия=Solid State Physics: Advances in Research and Applications|isbn=9780126077568}}</ref>.

[[Oltin]] yoki [[mis]] kabi yaxshi oʻtkazgichlar uchun Fermi darajasi sp bandining ichida va d bandi toʻliq toʻldirilgan. Ferromagnitlarda boshqacha holat kuzatiladi. Ularda elektronlarning atomlar bilan oʻzaro taʼsirining ularning spinlari yoʻnalishiga bogʻliqligi magnit xususiyatlar uchun mas’ul boʻlgan bandning bandligi bilan bogʻliq (temir, nikel yoki kobalt kabi ferromagnit metallar uchun 3d). Ferromagnitlarning d diapazoni boʻlinadi, chunki u spinlari „yuqoriga“ va „pastga“ yoʻnaltirilgan turli xil elektronlarni oʻz ichiga oladi. Qarama-qarshi yoʻnalishda yoʻnaltirilgan aylanishlar uchun Fermi darajasidagi elektron holatlar zichligidagi farqning sababi shu. Bu yerda ular elektron spinlarning koʻpchilik boʻlmagan yoʻnalishi haqida gapirishadi ({{lang-en|minority-spin electrons}}) d zonasining kamroq toʻldirilgan qismi uchun (masalan, aylanishlar pastga yoʻnaltirilgan) va asosan uning ikkinchi qismi uchun ({{lang-en|majority-spin electrons}}), toʻliq toʻldirilgan boʻlib chiqadi (orqa tomonlari yuqoriga ishora qiladi). Asosiy aylanish yoʻnalishi uchun Fermi darajasi sp bandining ichida boʻlib, ularning ferromagnitdagi harakati magnit boʻlmagan metalldagi elektronlarning harakatiga oʻxshaydi. Elektron spinlarining koʻp boʻlmagan yoʻnalishi uchun sp- va d-tasmalar gibridlangan boʻlib chiqadi va Fermi darajasi d diapazoni ichida joylashgan. Spd ferromagnitlarining gibridlangan zonasi yuqori zichlikdagi holatlar bilan tavsiflanadi, bu oʻrtacha erkin yoʻlning pasayishi sifatida namoyon boʻladi <math>\lambda</math> zonalari<ref name="Nikitin046">{{статья|ссылка=http://window.edu.ru/resource/222/21222/files/0402_092.pdf|автор=Никитин С. А.|заглавие=Гигантское магнитосопротивление|год=2004|язык=|издание=Соросовский обозревательный журнал|тип=|том=8|номер=2|страницы=92—98|doi=|archivedate=2022-01-28|archiveurl=https://web.archive.org/web/20220128155248/http://window.edu.ru/resource/222/21222/files/0402_092.pdf}}</ref><ref name="Chappert076">{{статья|заглавие=The emergence of spin electronics in data storage|издание=[[Nature Materials]]|том=6|страницы=813—823|doi=10.1038/nmat2024|ссылка=http://www.nature.com/nmat/journal/v6/n11/abs/nmat2024.html|язык=en|автор=Claude Chappert, Albert Fert and Frédéric Nguyen Van Dau|год=2007|тип=journal|archivedate=2016-11-20|archiveurl=https://web.archive.org/web/20161120173735/http://www.nature.com/nmat/journal/v6/n11/abs/nmat2024.html}}</ref> asosiyga nisbatan kichik aylanish yoʻnalishi boʻlgan elektronlar. Kobalt bilan qotishma nikelda, nisbat <math>\lambda_\uparrow/\lambda_\downarrow</math> (qarama-qarshi spin yoʻnalishli elektronlar uchun) xrom bilan qoʻshilganda 20 ga koʻtarilishi yoki 0,3 gacha kamayishi mumkin<ref name="Tsymbal01_126-132">{{книга|автор=Tsymbal E. Y. and Pettifor D. G.|часть=Perspectives of Giant Magnetoresistance|заглавие=Solid state physics|ответственный=Ed. by Henry Ehrenreich, Frederick Seitz, David Turnbull, Frans Spaepen|издательство=Academic Press|год=2001|volume=56|pages=126—132|allpages=483|серия=Solid State Physics: Advances in Research and Applications|isbn=9780126077568}}</ref>.

Drude nazariyasiga koʻra, oʻtkazuvchanlik oʻrtacha erkin yoʻl<ref name="Савельев04_271-274">{{книга|автор=Савельев И. В.|часть=Электричество и магнетизм|заглавие=Курс общей физики|место=М.|издательство=Астрель АСТ|год=2004|том=2|страницы=271—274|страниц=336|isbn=5-17-003760-0|тираж=5000}}</ref> va bilimga mutanosibdir <math>\lambda_\uparrow/\lambda_\downarrow</math> joriy tashuvchilarning ushbu ikki guruhi uchun oʻtkazuvchanlik nisbatini baholashga imkon beradi. Yupqa metall plyonkalardagi elektronlarning oʻrtacha erkin yoʻlining odatiy qiymati bir necha birlikdan bir necha oʻnlab nanometrlar oraligʻida joylashgan. Elektron spinning gevşeme uzunligi deb ataladigan (shuningdek, spin diffuziya uzunligi deb ataladi) aylanish yoʻnalishini „eslab qoladi“, bu oʻrtacha erkin yoʻldan sezilarli darajada oshib ketishi mumkin. Spin-polyarizatsiyalangan elektronlarni tashish samaradorligini aniqlaydi. Elektr qarshiligining oqim tashuvchisi spinining yoʻnalishiga bogʻliqligi kuzatilganda, biz spinga bogʻliq elektron tarqalishi haqida gapiramiz. Ferromagnitlarda spinga bogʻliq sochilish oʻtkazuvchanlik elektronlarining boʻlinmagan 4s va boʻlingan 3D diapazonlari oʻrtasida oʻtishlari paytida sodir boʻladi<ref name="Nikitin047">{{статья|ссылка=http://window.edu.ru/resource/222/21222/files/0402_092.pdf|автор=Никитин С. А.|заглавие=Гигантское магнитосопротивление|год=2004|язык=|издание=Соросовский обозревательный журнал|тип=|том=8|номер=2|страницы=92—98|doi=|archivedate=2022-01-28|archiveurl=https://web.archive.org/web/20220128155248/http://window.edu.ru/resource/222/21222/files/0402_092.pdf}}</ref><ref name="Chappert077">{{статья|заглавие=The emergence of spin electronics in data storage|издание=[[Nature Materials]]|том=6|страницы=813—823|doi=10.1038/nmat2024|ссылка=http://www.nature.com/nmat/journal/v6/n11/abs/nmat2024.html|язык=en|автор=Claude Chappert, Albert Fert and Frédéric Nguyen Van Dau|год=2007|тип=journal|archivedate=2016-11-20|archiveurl=https://web.archive.org/web/20161120173735/http://www.nature.com/nmat/journal/v6/n11/abs/nmat2024.html}}</ref>.

Spinlari va magnit momentlari antiparallel boʻlgan elektronlar va atomlar oʻrtasidagi oʻzaro taʼsir kuchsizroq boʻlgan materiallar mavjud. Ikkala turdagi materiallarni birlashtirib, teskari GMS taʼisirini olish mumkin<ref name="Chappert078">{{статья|заглавие=The emergence of spin electronics in data storage|издание=[[Nature Materials]]|том=6|страницы=813—823|doi=10.1038/nmat2024|ссылка=http://www.nature.com/nmat/journal/v6/n11/abs/nmat2024.html|язык=en|автор=Claude Chappert, Albert Fert and Frédéric Nguyen Van Dau|год=2007|тип=journal|archivedate=2016-11-20|archiveurl=https://web.archive.org/web/20161120173735/http://www.nature.com/nmat/journal/v6/n11/abs/nmat2024.html}}</ref><ref name="Buschow05_254">{{книга|автор=K. H. J. Buschow.|заглавие=Concise encyclopedia of magnetic and superconducting materials|ссылка=https://archive.org/details/conciseencyclope00busc|издание=2nd|издательство=Elsevier|год=2005|pages=[https://archive.org/details/conciseencyclope00busc/page/n274 254]|allpages=1339|isbn=9780080445861}}</ref>. Shuning uchun, oʻziga xos oʻzaro taʼsir mexanizmi asosiy boʻlmagan hollarda, yondashuvning umumiyligini saqlab qolish uchun biz elektron holatlarning yuqori va pastki zichligiga mos keladigan asosiy va kichik spin yoʻnalishlari boʻlgan elektronlar uchun oʻtkazuvchanlik haqida gapiramiz. Ushbu ikki guruh elektronlar uchun oʻtkazuvchanlik yoki qarshilik oʻrtasidagi munosabatni aniqlash fenomenologik nazariyani yaratish uchun etarli<ref name="Stoehr06_638">{{книга|автор=Stöhr, J. and Siegmann, H. C.|заглавие=Magnetism: From Fundamentals to Nanoscale Dynamics|издательство=Springer-Verlag Berlin Heidelberg|год=2006|pages=638|allpages=820|isbn=978-3540302827}}</ref><ref name="Inoue09">{{статья|автор=J. Inoue, T. Tanaka and H. Kontani|заглавие=Anomalous and spin Hall effects in magnetic granular films|год=2009|язык=en|издание=[[Physical Review|Physical Review B]]|тип=journal|том=80|номер=2|страницы=020405(R)|doi=10.1103/PhysRevB.80.020405}}</ref>.<center><gallery heights="200px" widths="290px" caption="Elektron tarmoqli tuzilishi (chapda) va holatlarning zichligi (oʻngda)">
Fayl:DOS_Cu.svg|[[Mis]] (magnit boʻlmagan metall). '''F''' – Fermi darajasi. Vertikal oʻq – [[Elektronvolt|eV]] da quvvat.
Fayl:DOS_Co_majority.svg|[[Kobalt]] (asosiy aylanish yoʻnalishi)
Fayl:DOS_Co_minority.svg|Kobalt (kichik aylanish yoʻnalishi)
</gallery></center>

==== CIP va CPP ulanish geometriyasi ====
[[File:Spin-valve CIP CPP.svg|thumb|left|300px|Oʻqish boshidagi CIP (chapda) va CPP (oʻngda) geometriyalarida spin klapanlarini joylashtirish sxemalari. Qizil rang sensorga oqim beriladigan oʻtkazgichlarni, yashil va sariq sensordagi ferromagnit va magnit boʻlmagan qatlamlarni bildiradi. V – potentsial farqning qoʻllanilishi.]] Magnit super panjarani elektr zanjiriga ikki usulda kiritish mumkin. CIP deb ataladigan geometriya bilan ({{lang-en|current in plane}}, tekislikdagi oqim), [[Elektr toki]] super panjara qatlamlari boʻylab tarqaladi va elektrodlar butun strukturaning bir tomonida joylashgan. CPP geometriyasi bilan ({{lang-en|current perpendicular to plane}}, tekislikka perpendikulyar oqim) oqim super panjara qatlamlariga perpendikulyar tarqaladi va elektrodlar qarama-qarshi tomonlarda joylashgan<ref name="Chappert079">{{статья|заглавие=The emergence of spin electronics in data storage|издание=[[Nature Materials]]|том=6|страницы=813—823|doi=10.1038/nmat2024|ссылка=http://www.nature.com/nmat/journal/v6/n11/abs/nmat2024.html|язык=en|автор=Claude Chappert, Albert Fert and Frédéric Nguyen Van Dau|год=2007|тип=journal|archivedate=2016-11-20|archiveurl=https://web.archive.org/web/20161120173735/http://www.nature.com/nmat/journal/v6/n11/abs/nmat2024.html}}</ref>. CPP geometriyasi kattaroq GMR qiymatlari bilan tavsiflanadi (CIP bilan solishtirganda ikki baravar koʻp), lekin u ham texnik amalga oshirishda katta qiyinchiliklarni keltirib chiqaradi<ref name="KhvalkovskiiWeb">{{cite web |url=http://www.amtc.ru/publications/articles/2084/?SHOWALL_1=1 |title=Гигантское магнитосопротивление: от открытия до Нобелевской премии |author=к.ф.-м.н. А. В. Хвальковский |date= |work= |publisher=AMT&C |access-date=2011-02-27 |lang= |archive-url=https://web.archive.org/web/20150108232315/http://www.amtc.ru/publications/articles/2084/?SHOWALL_1=1 |archive-date=2015-01-08 |url-status=dead}}</ref><ref name="Bass993">{{статья|заглавие=Current-perpendicular (CPP) magnetoresistance in magnetic metallic multilayers|ссылка=https://archive.org/details/sim_journal-of-magnetism-and-magnetic-materials_1999-10_200_1-3/page/274|издание=[[Journal of Magnetism and Magnetic Materials|JMMM]]|том=200|страницы=274—289|doi=10.1016/S0304-8853(99)00316-9|язык=en|автор=Bass, J., Pratt, W. P.|год=1999|тип=journal}}</ref>.

==== Magnit super panjara orqali oqim oʻtishi ====
[[File:Spin-valve GMR ru.svg|thumb|right|300px|GMS taʼisiriga asoslangan aylanish klapan (FSR va ASR tuzilmalari). '''FM''' – [[Ferromagnitlar|ferromagnit]] qatlam (strelkalar magnitlanish yoʻnalishini koʻrsatadi), '''NM''' – magnit boʻlmagan qatlam. Spin-up yoʻnalishi boʻlgan elektronlar valfdan oʻtayotganda turlicha tarqaladi, buning natijasida ularning tarqalish darajasi va klapan qarshiligining ekvivalent davri oʻzgaradi.]] Qatlamlar orasidagi ferromagnit (FSR) va [[Antiferromagnit|antiferromagnitik]] (AFM) oʻzaro taʼsiri boʻlgan super panjaralarda magnit tartibning xarakteristikalari farqlanadi. Birinchisida, qoʻllaniladigan maydon yoʻqligida turli ferromagnit qatlamlarda magnitlanish yoʻnalishlari bir xil, ikkinchisida qarama-qarshi yoʻnalishlar almashinadi. FSR orqali tarqalayotganda, panjara magnitlanishiga nisbatan spin antiparallel yoʻnalishi boʻlgan elektronlar deyarli tarqalmaydi va qatlamlarning magnitlanishi bilan birgalikda yoʻnaltirilgan spinli elektronlar tarqalishni boshdan kechiradi.. ASR orqali oʻtayotganda spinning har qanday yoʻnalishi boʻlgan elektronlar tarqaladi: har bir alohida tanlangan elektron uchun tarqalish harakatlari uning spiniga koʻproq yoʻnaltirilgan magnitlangan qatlamdan oʻtganda sodir boʻladi. Namuna qarshiligi tarqalish hodisalari soni bilan ortib borayotganligi sababli, ASR qarshiligi FSR dan yuqori boʻladi<ref name="Nikitin048">{{статья|ссылка=http://window.edu.ru/resource/222/21222/files/0402_092.pdf|автор=Никитин С. А.|заглавие=Гигантское магнитосопротивление|год=2004|язык=|издание=Соросовский обозревательный журнал|тип=|том=8|номер=2|страницы=92—98|doi=|archivedate=2022-01-28|archiveurl=https://web.archive.org/web/20220128155248/http://window.edu.ru/resource/222/21222/files/0402_092.pdf}}</ref><ref name="Chappert0710">{{статья|заглавие=The emergence of spin electronics in data storage|издание=[[Nature Materials]]|том=6|страницы=813—823|doi=10.1038/nmat2024|ссылка=http://www.nature.com/nmat/journal/v6/n11/abs/nmat2024.html|язык=en|автор=Claude Chappert, Albert Fert and Frédéric Nguyen Van Dau|год=2007|тип=journal|archivedate=2016-11-20|archiveurl=https://web.archive.org/web/20161120173735/http://www.nature.com/nmat/journal/v6/n11/abs/nmat2024.html}}</ref>.

GMR taʼisiridan foydalanadigan qurilmalarni qurish uchun qatlamlarning parallel yoki antiparallel magnitlanishiga ega boʻlgan holatlar oʻrtasida panjara holatini dinamik ravishda almashtirish imkoniyatiga ega boʻlish kerak. Birinchi taxminga koʻra, magnit boʻlmagan qatlam bilan ajratilgan ikkita ferromagnit qatlamning oʻzaro taʼsirining quvvat zichligi ularning magnitlanishining [[skalyar koʻpaytmasi]]<nowiki/>ga proporsionaldir:

: <math>w = - J (\mathbf M_1 \cdot \mathbf M_2), </math>

Koeffitsientning bogʻliqligi <math>J</math> magnit boʻlmagan qatlamning qalinligi boʻyicha <math>d_s</math> tebranish funksiyasi bilan tavsiflanadi. Shunung uchun <math>J</math> kattalikni ham, belgini ham oʻzgartirishi mumkin. Agar tanlasangiz <math>d_s</math> Asosiy holat antiparallel holat boʻladigan tarzda, tashqi maydon taʼsirida super panjaraning antiparallel holatdan (yuqori qarshilik) parallel holatga (past qarshilik) oʻtishi sodir boʻladi. Strukturaning umumiy qarshiligi sifatida ifodalanishi mumkin

: <math>R = R_0 + \Delta R \sin^2 \frac{\theta}{2},</math>

bu yerda <math>R_0</math> – FSR qarshiligi, <math>\Delta R</math> – GMS oʻsishi, <math>\theta \in [-\pi, \pi]</math> – qoʻshni qatlamlarning magnitlanishi orasidagi burchak<ref name="KhvalkovskiiWeb" />.

=== Matematik tavsif ===
Hodisani matematik tarzda rasmiylashtirish uchun qarshiligi mos ravishda minimal yoki maksimal boʻlgan [[Electron|elektronlar]]<nowiki/>ning oʻtkazuvchanligiga mos keladigan elektr oʻtkazuvchanligining ikkita [[spin]] kanali kiritiladi.

Ular orasidagi munosabatlar koʻpincha spin anizotropiya koeffitsienti nuqtai nazaridan aniqlanadi <math>\beta</math>, bu minimal va maksimal [[Elektr qarshilik|elektr qarshiligi]]<nowiki/>ni aniqlash orqali kiritilishi mumkin <math>\rho_{F\pm}</math> shaklida spin-polarizatsiyalangan oqim uchun

: <math>\rho_{F\pm}=\frac{2\rho_F}{1\pm\beta},</math>

bu yerda <math>\rho_F</math> – ferromagnitning oʻrtacha qarshiligi<ref>{{книга|автор=О. В. Третяк, В. А. Львов, О. В. Барабанов.|заглавие=Фізичні основи спінової електроніки|место=К.|издательство=Київський університет|год=2002|страницы=243|страниц=314|isbn=966-594-323-5}}</ref>.

==== CIP va CPP tuzilmalari uchun qarshilik modeli ====
Ferromagnit va magnit boʻlmagan metallar orasidagi chegarada oqim tashuvchilarning tarqalishi kichik boʻlgan va elektron spinlarning yoʻnalishi ancha uzoq vaqt saqlanib qolgan sharoitlarda namunaning qarshiligi boʻlgan modelni koʻrib chiqish qulay. magnit va magnit boʻlmagan qatlamlarning qarshiliklari bilan alohida aniqlanadi.

Strukturaning qatlamlarida magnitlanishga nisbatan turli xil spin yoʻnalishlariga ega boʻlgan elektronlar uchun ikkita oʻtkazuvchanlik kanalining mavjudligi GMS strukturasining ekvivalent sxemasi kanallarning har biriga mos keladigan ikkita parallel ulanishdan iborat boʻlishini anglatadi. Bunday holda, magnit qarshilik ifodasi shaklni oladi

: <math>\delta_H = \frac{\Delta R}{R}=\frac{R_{\uparrow\downarrow}-R_{\uparrow\uparrow}}{R_{\uparrow\uparrow}}=\frac{(\rho_{F+}-\rho_{F-})^2}{(2\rho_{F+}+\chi\rho_N)(2\rho_{F-}+\chi\rho_N)},</math>

bu yerda R indekslari qatlamlarda magnitlanishning birgalikdagi va qarama-qarshi yoʻnalishini koʻrsatadi, <math>\chi=b/a</math> – magnit boʻlmagan va magnit metallarning qalinligi nisbati, <math>\rho_N</math> – magnit boʻlmagan metallning qarshiligi. Bu ifoda CIP va CPP tuzilmalariga tegishli. Shart bajarilganda <math>\chi\rho_N \ll \rho_{F\pm}</math> bu bogʻliqlikni spin assimetriya koeffitsienti orqali oddiyroq shaklda qayta yozish mumkin:

: <math>\delta_H = \frac{\beta^2}{1-\beta^2}.</math>

Har xil spin yoʻnalishlariga ega boʻlgan elektronlar uchun qarshiligi har xil boʻlgan bunday qurilma odatda spin klapan deb ataladi. Agar uning qatlamlaridagi magnitlanishlar parallel yoʻnaltirilgan boʻlsa, u ochiq, aks holda yopiq deyiladi<ref>{{книга|автор=О. В. Третяк, В. А. Львов, О. В. Барабанов.|заглавие=Фізичні основи спінової електроніки|место=К.|издательство=Київський університет|год=2002|страницы=258—261, 247—248|страниц=314|isbn=966-594-323-5}}</ref>.

{{Hider|title=''Magnit qarshilik formulalarini hosil qilish''
|content=<!------------------------------------------------------------------------------------->
Super panjara qalinligi ''a'' boʻlgan ikkita magnit qatlamidan va ular orasidagi qalinligi ''b'' magnit bo'lmagan qatlamdan iborat boʻlsin. Agar shunday inshootdan oʻtayotganda [[elektron]]ning har bir qatlamda turish vaqti uning qalinligiga mutanosib boʻladi deb faraz qilsak, strukturaning [[Elektr qarshiligi|qarshilik]] koʻrinishida yozish mumkin.
: <math>\rho = \frac{a(\rho_{F1}+\rho_{F2})+b\rho_N}{2a+b},</math>
bu yerda ''F1'' va ''F2'' indekslari mos ravishda birinchi va ikkinchi magnit qatlamlarni bildiradi va ''N'' magnit boʻlmagan qatlamdir. Qatlamlar orasidagi chegaralardan oʻtayotganda elektronlarning tarqalishini va spinning boʻshashishini eʼtiborsiz qoldiradigan boʻlsak, u holda '' L '' uzunligi va '' S'' ko'ndalang kesim maydoni namunasi uchun parallel va antiparallel konfiguratsiyaga ega qarshiliklar [[Magnitlanish|magnetizatsiya]] shaklga ega boʻladi
: <math>R_{\uparrow\uparrow}^{CIP}=\frac{L}{(2a+b)S}\left( \frac{1}{2a\rho_{F+}+b\rho_N} + \frac{1}{2a\rho_{F-}+b\rho_N} \right)^{-1},</math>
: <math>R_{\uparrow\downarrow}^{CIP}=\frac{L}{2(2a+b)S}\left[a(\rho_{F+}+\rho_{F-})+b\rho_N\right].</math>
Bu yerda R integral qarshilik koʻrsatkichlari strukturaning qatlamlarida magnitlanishning birgalikdagi yoʻnalishini koʻrsatadi (bu yerda strukturaning ekvivalent sxemasi qarama-qarshi spin yoʻnalishli elektronlar uchun kanallarning parallel ulanishi kabi koʻrinishi hisobga olinadi). Keyin magnit qarshilikni quyidagicha yozish mumkin
: <math>\frac{\Delta R^{CIP}}{R^{CIP}}=\frac{R_{\uparrow\downarrow}^{CIP}-R_{\uparrow\uparrow}^{CIP}}{R_{\uparrow\uparrow}^{CIP}}=\frac{(\rho_{F+}-\rho_{F-})^2}{(2\rho_{F+}+\chi\rho_N)(2\rho_{F-}+\chi\rho_N)},</math>
где <math>\chi=b/a</math><ref>{{книга
 |автор         = О. В. Третяк, В. А. Львов, О. В. Барабанов.
 |заглавие      = Фізичні основи спінової електроніки
 |место         = К.
 |издательство  = Київський університет
 |год           = 2002
 |страницы      = 258—261
 |страниц       = 314
 |isbn          = 966-594-323-5
}}</ref>.

CIPda boʻlgani kabi, CPP strukturasining ekvivalent sxemasi qarama-qarshi aylanish yoʻnalishlari boʻlgan elektronlar uchun parallel ulangan qarshilik kanallaridan iborat. Oldingi holatdan farq faqat oʻziga xos va integral qarshiliklar oʻrtasidagi mutanosiblik koeffitsientida, chunki elektron endi L boʻylama oʻlchamini emas, balki a va b qatlamlarining qalinligini engib oʻtishi kerak. Agar strukturaning maydonini S bilan belgilasak, u holda
: <math>R_{\uparrow\uparrow}^{CPP}=\frac{1}{S}\left( \frac{1}{2a\rho_{F+}+b\rho_N} + \frac{1}{2a\rho_{F-}+b\rho_N} \right)^{-1},</math>
: <math>R_{\uparrow\downarrow}^{CPP}=\frac{a(\rho_{F+}+\rho_{F-})+b\rho_N}{S}.</math>
Bu magnit qarshilik ifodasi oʻzgarmasligini anglatadi:
: <math>\frac{\Delta R^{CPP}}{R^{CPP}}=\frac{R_{\uparrow\downarrow}^{CPP}-R_{\uparrow\uparrow}^{CPP}}{R_{\uparrow\uparrow}^{CPP}}=\frac{(\rho_{F+}-\rho_{F-})^2}{(2\rho_{F+}+\chi\rho_N)(2\rho_{F-}+\chi\rho_N)}</math><ref>{{книга
 |автор         = О. В. Третяк, В. А. Львов, О. В. Барабанов.
 |часть         = 
 |заглавие      = Фізичні основи спінової електроніки
 |оригинал      = 
 |ссылка        = 
 |ответственный = 
 |издание       = 
 |место         = К.
 |издательство  = Київський університет
 |год           = 2002
 |том           = 
 |страницы      = 247—248
 |страниц       = 314
 |серия         = 
 |isbn          = 966-594-323-5
 |тираж         = 
}}</ref>.
<!------------------------------------------------------------------------------------->|frame-style=border: 1px solid rgb(200,200,200); margin: 10px; padding: 10px|title-style=color: black; background-color: rgb(255,255,221); font-weight: bold; text-align: left;|content-style=color: black; background-color: white; text-align: left;|hidden=1}}

==== Valet-Ferta modeli ====
1993-yilda Thierry Valet va Albert Fert [[Boltzmann kinetik tenglamasi|Boltzmann tenglamalari]]<nowiki/>ga asoslangan CPP geometriyasi uchun ulkan magnit qarshilik modelini nashr etdilar. Nazariyaning mohiyati [[kimyoviy potentsial]]<nowiki/>ni magnit qatlam ichida spinlari parallel va undagi magnitlanishga antiparallel boʻlgan elektronlarga mos keladigan ikki funktsiyaga boʻlinishini koʻrib chiqishdan iborat. Agar magnit boʻlmagan materialning qalinligi etarlicha kichik deb hisoblasak, u holda ''E''<sub>0</sub> tashqi maydonda elektrokimyoviy potentsialga va namuna ichidagi maydonga tuzatishlar shaklga ega boʻladi.
: <math>\Delta\mu = \frac{\beta}{1-\beta^2}eE_0l_se^{z/l_s},</math>
: <math>\Delta E = \frac{\beta^2}{1-\beta^2}eE_0l_se^{z/l_s},</math>

bu yerda ''l''<sub>s</sub> – oʻrtacha aylanish boʻshashish uzunligi va koordinata <math>z</math> magnit va magnit boʻlmagan qatlamlar orasidagi chegaradan oʻlchanadi (<math>z<0</math> ferromagnitga mos keladi)<ref name="Valet932">{{статья|ссылка=http://prb.aps.org/abstract/PRB/v48/i10/p7099_1|автор=T. Valet, A. Fert|заглавие=Theory of the perpendicular magnetoresistance in magnetic multilayers|год=1993|язык=en|издание=[[Physical Review|Physical Review B]]|тип=journal|том=48|номер=10|страницы=7099—7113|doi=10.1103/PhysRevB.48.7099}}</ref>. Bundan kelib chiqadiki, ferromagnit chegarasida kimyoviy potentsial katta boʻlgan elektronlar toʻplanadi<ref>{{книга|автор=Stöhr, J. and Siegmann, H. C.|заглавие=Magnetism: From Fundamentals to Nanoscale Dynamics|издательство=Springer-Verlag Berlin Heidelberg|год=2006|pages=641|allpages=820|isbn=978-3540302827}}</ref>, Spin toʻplanish potentsiali ''V''<sub>AS</sub> yoki interfeys qarshiligi (ferromagnit-magnit boʻlmagan material interfeysiga xos) koʻrinishida ifodalanishi mumkin.

: <math>R_i= \frac{\beta(\mu_{\uparrow\downarrow}-\mu_{\uparrow\uparrow})}{2ej} = \frac{\beta^2l_{sN}\rho_N}{1+(1-\beta^2)l_{sN}\rho_N/(l_{sF}\rho_F)},</math>

bu yerda ''j'' – namunadagi oqim zichligi, ''l''<sub>sN</sub> va ''l''<sub>sF</sub> – mos ravishda magnit boʻlmagan va magnit boʻlmagan materiallarda spin boʻshashish uzunliklari<ref>{{книга|автор=Stöhr, J. and Siegmann, H. C.|заглавие=Magnetism: From Fundamentals to Nanoscale Dynamics|издательство=Springer-Verlag Berlin Heidelberg|год=2006|pages=648—649|allpages=820|isbn=978-3540302827}}</ref>.

== Olish usullari ==

=== Materiallar va tajriba maʼlumotlari ===
Siz ulkan magnit qarshilik taʼsiriga ega boʻlgan juda koʻp moddalar kombinatsiyasini tanlashingiz mumkin<ref name="phys_tue-Coehoorn3">{{cite web|url=http://web.phys.tue.nl/fileadmin/tn/de_faculteit/capaciteitsgroepen/FM/FNA/Students_Education/Lectures_Courses/Coehoorn_Lecture-Notes-SVs-Part1-final.pdf|title=Novel Magnetoelectronic Materials and Devices|author=R. Coehoorn|date=2003|work=Giant magnetoresistance and magnetic interactions in
exchange-biased spin-valves. Lecture Notes|publisher=Technische Universiteit Eindhoven|access-date=2011-04-25|lang=en|archive-url=https://www.webcitation.org/60pw237Sz?url=http://web.phys.tue.nl/fileadmin/tn/de_faculteit/capaciteitsgroepen/FM/FNA/Students_Education/Lectures_Courses/Coehoorn_Lecture-Notes-SVs-Part1-final.pdf|archive-date=2011-08-10}}</ref>. Koʻp ishlatiladigan va keng tadqiq qilinganlardan baʼzilari quyidagilardir:

* [[Temir|Fe]][[Xrom (kimyoviy element)|Cr]] <ref name="Baibich882" />
* [[Kobalt|Co<sub>10</sub>]][[Mis|Cu<sub>90</sub>]]: <math>\delta_H = 40\;%</math> xona haroratida<ref name="Granovskyi11">{{статья|ссылка=http://journals.ioffe.ru/ftt/2011/02/p299-301.pdf|автор=А. Б. Грановский, М. Ильин, А. Жуков, В. Жукова, Х. Гонзалес.|заглавие=Гигантское магнитосопротивление гранулированных микропроводов: спин-зависящее рассеяние в межгранульных промежутках|год=2011|издание=ФТТ|том=53|номер=2|страницы=299—301|doi=|archiveurl=https://web.archive.org/web/20140820225236/http://journals.ioffe.ru/ftt/2011/02/p299-301.pdf|archivedate=2014-08-20}}</ref>
* [110]Co<sub>95</sub>Fe<sub>5</sub>/Cu: <math>\delta_H = 110\;%</math> xona haroratida<ref name="phys_tue-Coehoorn4">{{cite web|url=http://web.phys.tue.nl/fileadmin/tn/de_faculteit/capaciteitsgroepen/FM/FNA/Students_Education/Lectures_Courses/Coehoorn_Lecture-Notes-SVs-Part1-final.pdf|title=Novel Magnetoelectronic Materials and Devices|author=R. Coehoorn|date=2003|work=Giant magnetoresistance and magnetic interactions in
exchange-biased spin-valves. Lecture Notes|publisher=Technische Universiteit Eindhoven|access-date=2011-04-25|lang=en|archive-url=https://www.webcitation.org/60pw237Sz?url=http://web.phys.tue.nl/fileadmin/tn/de_faculteit/capaciteitsgroepen/FM/FNA/Students_Education/Lectures_Courses/Coehoorn_Lecture-Notes-SVs-Part1-final.pdf|archive-date=2011-08-10}}</ref>.
Magnit qarshilikning kattaligi qurilmaning geometriyasi (CIP yoki CPP), namuna harorati va ferromagnit va magnit boʻlmagan materiallar qatlamlarining qalinligi kabi koʻplab parametrlarga bogʻliq. 4,2 K haroratda va 1,5 nm kobalt qatlamining qattiq qalinligida mis qatlami qalinligining oʻzgarishi. <math>d_{Cu}</math> 1 dan 10 nm gacha keskin pasayishiga olib keldi <math>\delta_H</math> CIP geometriyasida 80 dan 10% gacha. Biroq, CPP geometriyasi bilan dCu = 2,5 nm da maksimal 125% taʼsirga erishildi. Kattalashtirish; koʻpaytirish <math>d_{Cu}</math> 10 nm gacha pasayishiga olib keldi <math>\delta_H</math> 60% gacha. Giyohvandlik <math>\delta_H</math> (<math>d_{Cu}</math>) tebranish xususiyatiga ega edi<ref name="Buschow05_248">{{книга|автор=K. H. J. Buschow.|заглавие=Concise encyclopedia of magnetic and superconducting materials|ссылка=https://archive.org/details/conciseencyclope00busc|издание=2nd|издательство=Elsevier|год=2005|pages=[https://archive.org/details/conciseencyclope00busc/page/n268 248]|allpages=1339|isbn=9780080445861}}</ref>.

Qalinligi mos ravishda 1,2 va 1,1 nm boʻlgan kobalt va mis qatlamlaridan yasalgan super panjara, haroratni mutlaq noldan 300 K gacha oʻzgartirganda, CIP geometriyasida taʼsir kattaligining 40 dan 20% gacha pasayishini koʻrsatdi va CPP geometriyasida 100 dan 55% gacha<ref name="Bass992">{{статья|ссылка=https://archive.org/details/sim_journal-of-magnetism-and-magnetic-materials_1999-10_200_1-3/page/274|автор=Bass, J., Pratt, W. P.|заглавие=Current-perpendicular (CPP) magnetoresistance in magnetic metallic multilayers|год=1999|язык=en|издание=[[Journal of Magnetism and Magnetic Materials|JMMM]]|тип=journal|том=200|страницы=274—289|doi=10.1016/S0304-8853(99)00316-9}}</ref>.

Metall boʻlmagan, magnit boʻlmagan qatlamlarga ega boʻlgan spin klapanlari boʻyicha tadqiqotlar mavjud. Xususan, 11 K da [[Organik moddalar|organik qatlamlar]] uchun 40% gacha boʻlgan ulkan salbiy magnit qarshilik qayd etilgan<ref name="Sun10">{{статья|автор=Dali Sun, Lifeng Yin, Chengjun Sun, Hangwen Guo, Zheng Gai, X.-G. Zhang, T. Z. Ward, Zhaohua Cheng, and Jian Shen|заглавие=Giant Magnetoresistance in Organic Spin Valves|год=2010|язык=en|издание=[[Physical Review Letters|Phys. Rev. Lett]]|тип=journal|том=104|номер=23|страницы=236602|doi=10.1103/PhysRevLett.104.236602}}</ref>. Turli dizayndagi [[grafen]]<nowiki/>dagi aylanish klapanlari 7 K da 12% va 300 K da 10% GMR koʻrsatdi. Biroq, nazariy hisob-kitoblar taʼsirning yuqori chegarasini 10<sup>9</sup> % gacha koʻrsatmoqda<ref name="Qin10">{{статья|автор=Rui Qin, Jing Lu, Lin Lai, Jing Zhou, Hong Li, Qihang Liu, Guangfu Luo, Lina Zhao, Zhengxiang Gao, Wai Ning Mei, and Guangping Li|заглавие=Room-temperature giant magnetoresistance over one billion percent in a bare graphene nanoribbon device|год=2010|язык=en|издание=[[Physical Review|Physical Review B]]|тип=journal|том=81|номер=23|страницы=233403|doi=10.1103/PhysRevB.81.233403}}</ref>.

Taʼsir kobalt kabi metallardan yasalgan elektr tokining oʻtishi paytida elektronlarning spinlarini polarizatsiya qiluvchi spin filtrlaridan foydalanish orqali kuchayadi. Filtr qalinligi uchun <math>t</math> elektron bilan oʻrtacha [[Erkin yugurish yoʻlagi|erkin yoʻl]] <math>\lambda</math> [[Elektr oʻtkazuvchanlik toki|oʻtkazuvchanlikning oʻzgarishi]] kuzatildi <math>\Delta G</math>, deb yozilishi mumkin

: <math>\Delta G = \Delta G_{SV} + \Delta G_f (1 - e^{\beta t/\lambda}),</math>

Bu yerda <math>\Delta G_{SV}</math> – filtrsiz aylanish klapanining oʻtkazuvchanligini oʻzgartirish, <math>\Delta G_f</math> – Filtrni ishlatganda oʻtkazuvchanlikning maksimal ortishi, <math>\beta</math> – filtr materiali parametri<ref name="Heinrich05_161-163">{{книга|заглавие=Ultrathin Magnetic Structures|ответственный=Ed. by B. Heinrich and J. A. C. Bland|издательство=Springer|год=2005|volume=IV|pages=161—163|allpages=257|серия=Application of Nanomagnetism|isbn=978-3-540-21954-5}}</ref>.

=== HMR turlari ===
Tasniflash koʻpincha GMR taʼisiri oʻzini namoyon qiladigan qurilmalar turlariga qarab amalga oshiriladi<ref name="UNL_TE">{{cite web |url=http://physics.unl.edu/~tsymbal/reference/giant_magnetoresistance/gmr_structures.shtml |title=GMR Structures |author=Evgeny Tsymbal |publisher=University of Nebraska-Lincoln |access-date=2011-04-11 |lang=en |archive-url=https://www.webcitation.org/60pw1Tv7R?url=http://physics.unl.edu/~tsymbal/reference/giant_magnetoresistance/gmr_structures.shtml |archive-date=2011-08-10}}</ref>.

=== '''Plyonkalardagi GMRlar''' ===

===== Antiferromagnit super panjaralar =====
Plyonkalardagi GMR taʼisiri birinchi marta Fert va Gryunberg tomonidan ferromagnit va magnit boʻlmagan qatlamlardan tashkil topgan [[super panjara]]<nowiki/>larni oʻrganishda kuzatilgan. Magnit boʻlmagan qatlamning qalinligi shunday tanlanganki, qatlamlar orasidagi oʻzaro taʼsir antiferromagnit boʻladi va natijada asosiy holat qoʻshni magnit qatlamlarda [[magnitlanish]]<nowiki/>larning antiparallel yoʻnalishi hisoblanadi. Keyinchalik, tashqi taʼsir ostida, masalan, magnit maydon, turli qatlamlardagi magnitlanish vektorlarining yoʻnalishi parallel ravishda oʻzgartirilishi mumkin. Bu strukturaning [[Elektr qarshilik|elektr qarshiligi]]<nowiki/>ning sezilarli oʻzgarishi bilan birga keladi<ref name="Baibich883">{{статья|заглавие=Giant Magnetoresistance of (001)Fe/(001)Cr Magnetic Superlattices|издание=[[Physical Review Letters]]|том=61|номер=21|страницы=2472—2475|doi=10.1103/PhysRevLett.61.2472|ссылка=http://link.aps.org/abstract/PRL/v61/p2472|язык=en|автор=M.&nbsp;N.&nbsp;Baibich, J.&nbsp;M.&nbsp;Broto, A.&nbsp;Fert, F.&nbsp;Nguyen Van Dau, F.&nbsp;Petroff, P.&nbsp;Eitenne, G.&nbsp;Creuzet, A.&nbsp;Friederich, and J.&nbsp;Chazelas|год=1988|тип=journal}}</ref>.

Bunday tuzilmalarda magnit qatlamlarning oʻzaro taʼsiri antiferromagnit juftlik deb ataladigan narsa orqali sodir boʻladi. Uning oqibati GMR koeffitsientining magnit boʻlmagan qatlam qalinligiga tebranuvchi bogʻliqligidir. Antiferromagnit super panjaralardan foydalangan holda birinchi magnit maydon sensorlarida ularda ishlatiladigan [[Xrom (kimyoviy element)|xrom]] va [[temir]] ([[kobalt]]) plyonkalari oʻrtasidagi kuchli antiferromagnit oʻzaro taʼsir, shuningdek kuchli [[Anizotropiya maydoni|anizotropiya]] tufayli toʻyinganlik maydoni juda katta edi (oʻn minglab [[ersted]]<nowiki/>gacha). ulardagi maydonlar. Shuning uchun bunday qurilmalarning sezgirligi juda past edi. Keyinchalik ular [[permalloy]] (magnit qatlamlarda) va [[kumush]]<nowiki/>dan (magnit boʻlmagan qatlamlarda) foydalanishni boshladilar, bu esa toʻyinganlik maydonini oʻnlab erstedlarga qisqartirdi<ref name="Nalwa02_518-519">{{книга|автор=Hari Singh Nalwa.|заглавие=Handbook of thin film materials: Nanomaterials and magnetic thin films|издательство=Academic Press|год=2002|volume=5|pages=518—519|allpages=633|isbn=9780125129084}}</ref>.

==== Almashinuv siljishidagi spin klapanlari ====
Eng muvaffaqiyatli konfiguratsiya [[Almashinuv anizotropiyasi|ayirboshlash]] klapanlari boʻlib chiqdi, ularda GMR taʼisiri almashinuvning notoʻgʻriligi natijasida paydo boʻladi. Ular sensorli qatlam, interlayer, „qatʼiy“ qatlam va antiferromagnit yoʻnaltirilgan mahkamlash qatlamidan iborat. Ularning oxirgisi „sobit“ qatlamda magnitlanish yoʻnalishini tuzatishga xizmat qiladi. Barcha qatlamlar, mahkamlashdan tashqari, strukturaning past qarshiligini taʼminlash uchun etarlicha nozik. Tashqi magnit maydonga reaktsiya sensorli qatlamning magnitlanish yoʻnalishini „qatʼiy“ga nisbatan oʻzgartirishdan iborat<ref name="Nalwa02_519">{{книга|автор=Hari Singh Nalwa.|заглавие=Handbook of thin film materials: Nanomaterials and magnetic thin films|издательство=Academic Press|год=2002|volume=5|pages=519|allpages=633|isbn=9780125129084}}</ref>.

Bunday spin klapanlari va boshqa koʻp qatlamli GMS qurilmalari oʻrtasidagi asosiy farq – bu magnit qatlamlar orasidagi qatlamning ''d<sub>N</sub>'' qalinligiga taʼsir amplitudasining monotonik bogʻliqligi, bu fenomenologik bogʻliqlik sifatida ifodalanishi mumkin.

: <math>\delta_H(d_N) = \delta_{H0} \frac{\exp\left(-d_N/\lambda_N\right)}{1 + d_N/d_0},</math>

bu yerda <math>\delta_{H0}</math> – baʼzi normalizatsiya koeffitsienti GMS, <math>\lambda_N</math> – elektron magnit boʻlmagan materialdagi oʻrtacha [[Erkin yugurish yoʻlagi|erkin yoʻl]], ''d''<sub>0</sub> – boshqa strukturaviy elementlarning [[Shunt (tibbiy)|koʻprigini]] hisobga olgan holda samarali qalinligi<ref name="UNL_TE" /><ref name="Nalwa02_525-526">{{книга|автор=Hari Singh Nalwa.|заглавие=Handbook of thin film materials: Nanomaterials and magnetic thin films|издательство=Academic Press|год=2002|volume=5|pages=519, 525—526|allpages=633|isbn=9780125129084}}</ref>. Xuddi shunday ifodani ferromagnit qatlam qalinligiga bogʻliqlik uchun ham keltirish mumkin:

: <math>\delta_H(d_F) = \delta_{H1} \frac{1 - \exp\left(-d_F/\lambda_F\right)}{1 + d_F/d_0}.</math>

Formula parametrlarining maʼnosi avvalgi bogʻliqlik bilan bir xil, ammo hozir ishlatiladigan ferromagnit uchun<ref name="phys_tue-Coehoorn5">{{cite web|url=http://web.phys.tue.nl/fileadmin/tn/de_faculteit/capaciteitsgroepen/FM/FNA/Students_Education/Lectures_Courses/Coehoorn_Lecture-Notes-SVs-Part1-final.pdf|title=Novel Magnetoelectronic Materials and Devices|author=R. Coehoorn|date=2003|work=Giant magnetoresistance and magnetic interactions in
exchange-biased spin-valves. Lecture Notes|publisher=Technische Universiteit Eindhoven|access-date=2011-04-25|lang=en|archive-url=https://www.webcitation.org/60pw237Sz?url=http://web.phys.tue.nl/fileadmin/tn/de_faculteit/capaciteitsgroepen/FM/FNA/Students_Education/Lectures_Courses/Coehoorn_Lecture-Notes-SVs-Part1-final.pdf|archive-date=2011-08-10}}</ref>.

=== Bogʻlanishsiz koʻp qatlamli tuzilmalar (psevdospin klapanlar) ===
GMR taʼisiri antiferromagnit qatlam juftligi boʻlmaganda ham kuzatilishi mumkin. Bunday holda, magnetoresistensiya [[Majburiy kuch|majburlash kuchlari]]<nowiki/>ning farqlari tufayli yuzaga keladi (masalan, [[permalloy]] uchun pastroq va [[kobalt]] uchun yuqori). Permalloy / mis / kobalt / mis tipidagi koʻp qatlamli tuzilmalarda tashqi magnit maydon qatlamlarda toʻyingan magnitlanishning turli yoʻnalishlari oʻrtasida almashinishga olib keladi (yuqori maydonlarda parallel va past maydonlarda antiparallel). Bunday tizimlar kichikroq toʻyinganlik maydoni va kattaroqligi bilan tavsiflanadi <math>\delta_H</math> antiferromagnit bogʻlanishli super panjaralardan koʻra<ref name="Nalwa02_519" />. Xuddi shunday taʼsir kobalt va mis tuzilmalarida ham kuzatiladi. Aslida, bunday tuzilmalarning mavjudligi GMRni kuzatish uchun zarur shart qatlamlar orasidagi bogʻlanishning mavjudligi emas, balki tashqi maydon tomonidan boshqarilishi mumkin boʻlgan strukturadagi magnit momentning maʼlum bir taqsimlanishidir<ref name="Pu96_122">{{книга|автор=Pu F. C.|заглавие=Aspects of Modern Magnetism: Lecture Notes of the Eighth Chinese International Summer School of Physics Beijing, China 28 August-7 September, 1995|ссылка=https://archive.org/details/aspectsofmodernm0000chin|ответственный=Ed. by Y. J. Wang, C. H. Shang|издательство=World Scientific Pub Co Inc|год=1996|pages=[https://archive.org/details/aspectsofmodernm0000chin/page/122 122]|allpages=271|isbn=978-9810226015}}</ref>.

===== GMRning teskari taʼsiri =====
Teskari taʼsir holatida minimal qarshilik super panjara qatlamlarida magnitlanish antiparallel boʻlganda kuzatiladi. Teskari GMR taʼisiri magnit qatlamlar turli materiallardan, masalan, NiCr/Cu/Co/Cudan iborat boʻlsa kuzatiladi. Spin yoʻnalishlari qarama-qarshi boʻlgan elektronlar uchun qatlam qarshiligini shaklda yozsak <math>\rho_{\uparrow,\downarrow}=\frac{2\rho_F}{1\pm\beta}</math>, keyin nikel-xrom va kobalt qatlamlari uchun spin assimetriya koeffitsientining belgilari <math>\beta</math> boshqacha boʻladi. NiCr qatlamining etarlicha qalinligi bilan uning hissasi kobalt qatlamining hissasidan oshib ketadi, bu esa teskari taʼsirni kuzatishga olib keladi<ref name="Buschow05_2543">{{книга|автор=K. H. J. Buschow.|заглавие=Concise encyclopedia of magnetic and superconducting materials|ссылка=https://archive.org/details/conciseencyclope00busc|издание=2nd|издательство=Elsevier|год=2005|pages=[https://archive.org/details/conciseencyclope00busc/page/n274 254]|allpages=1339|isbn=9780080445861}}</ref>. Taʼsirning inversiyasi faqat koeffitsientlar mahsulotining belgisiga bogʻliq boʻlgani uchun <math>\beta</math> Qoʻshni ferromagnit qatlamlarda, ularning belgilaridan alohida emas, elektron spinlarning atomlarning magnit momentlari bilan oʻzaro taʼsirining oʻziga xos mexanizmidan mavhumlash uchun, baʼzida mualliflar belgini aniqlaydilar. <math>\beta</math>, bu keyingi taqdimotda hisobga olinadi<ref name="Bass994">{{статья|заглавие=Current-perpendicular (CPP) magnetoresistance in magnetic metallic multilayers|ссылка=https://archive.org/details/sim_journal-of-magnetism-and-magnetic-materials_1999-10_200_1-3/page/274|издание=[[Journal of Magnetism and Magnetic Materials|JMMM]]|том=200|страницы=274—289|doi=10.1016/S0304-8853(99)00316-9|язык=en|автор=Bass, J., Pratt, W. P.|год=1999|тип=journal}}</ref>.

Maʼlumki, vanadiy bilan qoʻshilgan nikel nikel-xrom qatlamiga oʻxshash xususiyatlarga ega boʻladi, temir, kobalt, marganets, oltin yoki mis bilan doping esa yuqorida muhokama qilingan tuzilishda teskari taʼsirning kuzatilishiga olib kelmaydi<ref name="Guimaraes09_132">{{книга|автор=Guimarães, Alberto P.|заглавие=Principles of Nanomagnetism|издательство=Springer|год=2009|pages=132|allpages=224|isbn=978-3-642-01481-9}}</ref>.

==== Donador tuzilmalardagi GMR ====
Ferromagnit va magnit boʻlmagan metallarning donador qotishmalarida (oʻnlab nanometrgacha) GMS 1992-yilda kashf etilgan va keyinchalik granulalarning yuzasida va asosiy qismida oqim tashuvchilarning spinga bogʻliq tarqalishi bilan izohlangan. Granulalar magnit boʻlmagan metall bilan oʻralgan, odatda diametri taxminan 10 nm boʻlgan ferromagnit klasterlarni hosil qiladi, ularni samarali plyonkali super panjara sifatida taʼriflash mumkin. Bunday qotishmalarning materiallari uchun zaruriy shart – bu tarkibiy qismlarning (masalan, kobalt va mis) oʻzaro eruvchanligi. Bunday tuzilmalarning xususiyatlariga tavlanish vaqti va harorati kuchli taʼsir qiladi: salbiy GMR olinishi mumkin, bu harorat oshishi bilan ortadi<ref name="Granovskyi11" /><ref>{{cite web |url=http://cnst.nist.gov/epg/Projects/MagNano/granular_proj.html |title=Magnetic Domains in Granular GMR Materials |publisher=National Institute of Standards and Technology |access-date=2011-03-12 |archive-url=https://www.webcitation.org/60pw1mgJ1?url=http://www.nist.gov/cnst/ |archive-date=2011-08-10}}</ref>.

== Qoʻllanilishi ==

=== Spin klapanlaridagi sensorlar ===

==== Umumiy chizmasi ====
[[File:GMR Sensor Nachbau 01.jpg|thumb|300px|right|Piter Grünberg tomonidan ishlab chiqilgan GMR sensorining nusxasi]] GMRni qoʻllashning asosiy yoʻnalishlaridan biri oʻlchash texnologiyasidir: Effekt asosida turli maqsadlar uchun magnit maydon sensorlari yaratildi (qattiq disklarning oʻqish boshlarida, bu yerda magnit maydonning yoʻnalishi bir oz maʼlumotni saqlaydigan hujayrada aniqlanadi<ref name="KhvalkovskiiWeb3">{{cite web|url=http://www.amtc.ru/publications/articles/2084/?SHOWALL_1=1|title=Гигантское магнитосопротивление: от открытия до Нобелевской премии|author=к.ф.-м.н. А. В. Хвальковский|date=|work=|publisher=AMT&C|access-date=2011-02-27|lang=|archive-url=https://web.archive.org/web/20150108232315/http://www.amtc.ru/publications/articles/2084/?SHOWALL_1=1|archive-date=2015-01-08|url-status=dead}}</ref>, biosensorlar<ref name="phys_tue-Coehoorn2">{{cite web |url=http://web.phys.tue.nl/fileadmin/tn/de_faculteit/capaciteitsgroepen/FM/FNA/Students_Education/Lectures_Courses/Coehoorn_Lecture-Notes-SVs-Part1-final.pdf |title=Novel Magnetoelectronic Materials and Devices |author=R. Coehoorn |date=2003 |work=Giant magnetoresistance and magnetic interactions in
exchange-biased spin-valves. Lecture Notes |publisher=Technische Universiteit Eindhoven |access-date=2011-04-25 |lang=en |archive-url=https://www.webcitation.org/60pw237Sz?url=http://web.phys.tue.nl/fileadmin/tn/de_faculteit/capaciteitsgroepen/FM/FNA/Students_Education/Lectures_Courses/Coehoorn_Lecture-Notes-SVs-Part1-final.pdf |archive-date=2011-08-10}}</ref>, MEMSdagi tebranishlarni aniqlash va oʻlchash vositalari<ref name="phys_tue-Coehoorn2" /> va boshqalar) GMS taʼisiridan foydalanadigan odatiy sensor etti qatlamdan iborat:

# Silikon substrat.
# Birlashtiruvchi qatlam.
# Sensorli (qattiq boʻlmagan, harakatlanuvchi) qatlam.
# Magnit boʻlmagan qatlam.
# Qatlamni mahkamlash.
# Antiferromagnit (qattiq) qatlam.
# Himoya qatlami.

Tantal koʻpincha bogʻlovchi va himoya qatlami sifatida ishlatiladi va mis magnit boʻlmagan qatlam sifatida xizmat qiladi. Sensor qatlamida magnitlanish tashqi magnit maydon tomonidan erkin yoʻnaltirilishi mumkin. U NiFe birikmasidan yoki kobalt qotishmalaridan tayyorlanadi. Antiferromagnit qatlam FeMn yoki NiMn plyonkalaridan iborat. Undagi magnitlanish yoʻnalishi qattiq magnit materialning mahkamlash qatlami bilan belgilanadi, masalan, kobalt. Bunday sensor ish maydoni diapazonida magnitlanish yoʻnalishini oʻrnatadigan qattiq magnit qatlam mavjudligi bilan bogʻliq boʻlgan assimetrik histerezis pastadir bilan tavsiflanadi<ref>{{cite web |url=http://www.icdd.com/resources/axa/VOL44/v44_043.pdf |title=An Investigation of Giant Magnetoresistance (GMR) Spinvalve Structures Using X-Ray Diffraction and Reflectivity |author=Elliot Brown and Matthew Wormington |publisher=The International Centre for Diffraction Data |access-date=2011-03-12 |archive-url=https://www.webcitation.org/60pw2P7M4?url=http://www.icdd.com/resources/axa/VOL44/v44_043.pdf |archive-date=2011-08-10}}</ref><ref name="DodrillLSC">{{cite web |url=http://www.lakeshore.com/pdf_files/systems/vsm/DataTech%20GMR.pdf |title=Magnetic In-line Metrology for GMR Spin-Valve Sensors |author=B. C. Dodrill, B. J. Kelley |publisher=Lake Shore Cryotronics, Inc. |access-date=2011-03-12 |archive-url=https://www.webcitation.org/60pw2aTf7?url=http://www.lakeshore.com/pdf_files/systems/vsm/DataTech%20GMR.pdf |archive-date=2011-08-10}}</ref>.

Spin klapanlari, shuningdek, anizotrop magnit qarshilik koʻrsatadi, bu esa sezuvchanlik egri chizigʻida assimetriyaga olib keladi. Uni hisobga olgan holda, amalda kuzatilganiga juda mos keladigan magnit qarshilik qiymatini beradi<ref name="Hartmann00_111">{{книга|заглавие=Magnetic Multilayers and Giant Magnetoresistance|ответственный=Ed. by U. Hartmann|издательство=Springer|год=2000|volume=37|pages=111|allpages=321|серия=Springer Series in Surface Sciences|isbn=978-3-540-65568-8|тираж=}}</ref>.

==== Qattiq magnit disklarda tadbiq etish ====
{{Main|Qattiq magnit disk}}
Qattiq magnit disklarda (HDD) maʼlumotlar magnit domenlar yordamida kodlanadi, ulardagi magnitlanishning bir yoʻnalishi mantiqiy, qarama-qarshi yoʻnalish esa mantiqiy nol bilan belgilanadi. Uzunlamasına va perpendikulyar yozish usullari mavjud.

Uzunlamasına usulda domenlar plastinka tekisligida joylashgan, yaʼni ulardagi yoʻnalish sirtga parallel. Domenlar oʻrtasida doimo oʻtish hududi (domen devori) hosil boʻladi, uning hududida sirtda magnit maydon paydo boʻladi. Agar domen devori domenlarning ikkita shimoliy qutbi chegarasida shakllangan boʻlsa, u holda maydon tashqariga, janubiy qutblar tomonidan hosil qilingan boʻlsa, u holda ichkariga yoʻnaltiriladi. Domen devori ustidagi magnit maydon yoʻnalishini oʻqish uchun magnitlanish yoʻnalishi sensorning antiferromagnit qatlamida disk plitasining tekisligiga perpendikulyar va sensor qatlamida – unga parallel ravishda oʻrnatiladi. Tashqi magnit maydon yoʻnalishini oʻzgartirish sensor qatlamidagi magnitlanishni muvozanat holatidan yuqoriga yoki pastga ogʻdiradi. Burilish yoʻnalishi qattiq qatlamdagi yoʻnalishga toʻgʻri kelganda, sensorning elektr qarshiligi pasayadi va aksincha, turli yoʻnalishlarda qarshilik kuchayishi aniqlanadi. Shu tarzda, oʻqish boshi oʻtgan domenlarning nisbiy yoʻnalishi aniqlanadi<ref>{{книга|автор=О. В. Третяк, В. А. Львов, О. В. Барабанов.|заглавие=Фізичні основи спінової електроніки|место=К.|издательство=Київський університет|год=2002|страницы=285—286|страниц=314|isbn=966-594-323-5}}</ref>.

Hozirgi vaqtda domenlarning vertikal joylashuvi keng qoʻllaniladi, bu gofret yuzasida bitlarning zichligini sezilarli darajada oshirishga imkon beradi<ref name="ChipUa">{{cite web |url=http://www.chip.ua/stati/go-digital/2011/04/abrazrushaem-mifybb-magnitnoe-pole-i-hdd |title=«Разрушаем мифы»: магнитное поле и HDD |author=Мартин Егер |date=2011-04-26 |publisher=Chip Online UA |access-date=2011-04-30 |lang=ru |archive-url=https://www.webcitation.org/60pw2lUOJ?url=http://www.chip.ua/stati/go-digital/2011/04/abrazrushaem-mifybb-magnitnoe-pole-i-hdd |archive-date=2011-08-10}}</ref>. Bunday holda, domenning oʻzi tomonidan yaratilgan maydon yuzaga chiqadi.

=== Magnit RAM ===
{{Main|Magnitorezistiv RAM}}
[[File:Spin-valve in MRAM.svg|thumb|300px|right|MRAMda aylanish klapanidan foydalanish. '''1''' Xotira xujayrasi sifatida aylanish klapan (strelkalar ferromagnit qatlamlar mavjudligini koʻrsatadi). '''2''' String chizigʻi. '''3''' Ustun qatori. Oʻqlari boʻlgan ellipslar qator va ustun chiziqlari atrofidagi magnit maydon chiziqlarini ifodalaydi, chunki ular orqali elektr toki oʻtadi.]] Magnitorezistiv tasodifiy kirish xotirasi hujayrasi (yacheykasi) ({{lang-en|magnetic random-access memory}}, ''MRAM'') spin valfidagi sensorga oʻxshash tuzilishdan iborat. Saqlangan bitning qiymati sensorli qatlamdagi magnitlanish yoʻnalishi boʻyicha kodlanishi mumkin, bu holda axborot tashuvchisi sifatida ishlaydi. Oʻqish strukturaning qarshiligini oʻlchash orqali sodir boʻladi. Ushbu texnologiyaning afzalliklari quvvat manbalaridan qatʼi nazar<ref group="Izoh">Taʼminot uzilganda bir bit maʼlumotni saqlaydigan yacheyka holatini saqlab qolish, strukturaning parallel va antiparallel holatlari orasida oʻtishda erkin (sensor) qatlamda magnitlanish yoʻnalishini qayta yoʻnaltirish uchun bartaraf etilishi kerak boʻlgan potensial toʻsiq mavjudligi tufayli mumkin ('''Yana qarang''': {{книга|автор=Denny D. Tang, Yuan-Jen Lee.|заглавие=Magnetic Memory: Fundamentals and Technology|ссылка=https://archive.org/details/magneticmemoryfu00tang|издательство=Cambridge University Press|год=2010|pages=[https://archive.org/details/magneticmemoryfu00tang/page/n114 103]|allpages=208|isbn=978-0521449649}}).</ref>, kam quvvat isteʼmoli va yuqori ishlash<ref name="KhvalkovskiiWeb4">{{cite web|url=http://www.amtc.ru/publications/articles/2084/?SHOWALL_1=1|title=Гигантское магнитосопротивление: от открытия до Нобелевской премии|author=к.ф.-м.н. А. В. Хвальковский|date=|work=|publisher=AMT&C|access-date=2011-02-27|lang=|archive-url=https://web.archive.org/web/20150108232315/http://www.amtc.ru/publications/articles/2084/?SHOWALL_1=1|archive-date=2015-01-08|url-status=dead}}</ref>.

Bir bit maʼlumotni saqlaydigan odatiy magnitorezistiv effektli xotira blokida CIP formatidagi GMS strukturasi bir-biriga perpendikulyar yoʻnaltirilgan ikkita oʻtkazgich orasiga joylashtiriladi. Ushbu oʻtkazgichlar qator va ustun chiziqlari deb ataladi. Chiziqlar orqali oʻtadigan elektr tokining impulslari GMS tuzilishiga taʼsir qiluvchi girdabli magnit maydon hosil qiladi. Maydon chiziqlarining konturlari shakli ellipslarga yaqin boʻlib, maydonning yoʻnalishi (soat yoʻnalishi boʻyicha yoki soat sohasi farqli ravishda) chiziq boʻylab oqim yoʻnalishi bilan belgilanadi. Bunday holda, GMS strukturasi ishlatiladi, uning ichidagi magnitlanish ip chizigʻi boʻylab yoʻnaltiriladi.

Shunday qilib, ustun chizigʻi tomonidan yaratilgan maydonning yoʻnalishi magnit momentlarga deyarli parallel ravishda yoʻnaltiriladi va ularni aylantira olmaydi. Ip chizigʻi ularga perpendikulyar maydon hosil qiladi va maydonning kattaligidan qatʼi nazar, magnitlanishni faqat 90° ga aylantirishi mumkin. Qatorlar va ustunlar chiziqlari boʻylab impulslarning bir vaqtning oʻzida oʻtishi bilan GMS strukturasi joylashgan joydagi umumiy magnit maydon baʼzi momentlarga nisbatan oʻtkir burchakka va boshqalarga nisbatan oʻtkir burchakka yoʻnaltiriladi. Agar maydon qiymati maʼlum bir kritik qiymatdan oshsa, ikkinchisi oʻz yoʻnalishini oʻzgartiradi.

Taʼriflangan hujayradan maʼlumotlarni saqlash va oʻqish uchun turli xil sxemalar qoʻllaniladi. Ulardan birida maʼlumotlar strukturaning harakatlanuvchi qatlamida saqlanadi. Keyin oʻqish operatsiyasi magnit maydon qoʻllanilganda strukturaning qarshiligi oʻzgarganligini aniqlaydi. Bunday holda, oʻqilgan bit oʻchiriladi va u yana katakchaga yozilishi kerak. Boshqa sxemada maʼlumot sobit qatlamda saqlanadi, bu oʻqish oqimlari bilan solishtirganda yuqori yozish oqimlarini talab qiladi<ref>{{книга|автор=О. В. Третяк, В. А. Львов, О. В. Барабанов.|заглавие=Фізичні основи спінової електроніки|место=К.|издательство=Київський університет|год=2002|страницы=289—291|страниц=314|isbn=966-594-323-5}}</ref>.

Bugungi kunda, MRAM holatida, ulkan magnitorezistiv effekt tunnel taʼisiriga oʻrnini bosdi<ref name="Rosnano_MT">{{cite web |url=http://thesaurus.rusnano.com/wiki/article1831 |title=Магнетосопротивление, Туннельное |author=Зайцев Д. Д. |work=Словарь нанотехнологических и связанных с нанотехнологиями терминов |publisher=Роснано |access-date=2011-04-11 |archive-url=https://www.webcitation.org/60pw3y2ST?url=http://thesaurus.rusnano.com/wiki/article1831 |archive-date=2011-08-10}}</ref>. Bunday tuzilmalar xotira xujayralari orasidagi adashgan oqimlarni oldini olish uchun valf elementlarini ham talab qiladi. Bunday valf elementi MOS tranzistori boʻlishi mumkin, uning drenajiga GMS tuzilishi, manbaga – topraklama va darvozaga – oʻqish uchun ishlatiladigan chiziqlardan biri<ref name="Tang10_93-95">{{книга|автор=Denny D. Tang, Yuan-Jen Lee.|заглавие=Magnetic Memory: Fundamentals and Technology|ссылка=https://archive.org/details/magneticmemoryfu00tang|издательство=Cambridge University Press|год=2010|pages=[https://archive.org/details/magneticmemoryfu00tang/page/n104 93]—95|allpages=208|isbn=978-0521449649}}</ref>.

=== Boshqa qoʻllash usullari ===
Elektr zanjirlarining ikkita galvanik izolyatsiyalangan qismi oʻrtasida kontaktsiz signal uzatish uchun magnit-rezistent izolyatorlar birinchi marta 1997-yilda optokupllarga muqobil sifatida yaxshi [[Integral sxema|integratsiyalashuvi]] tufayli [[Optron|optokup]]<nowiki/>llarga namoyish etilgan. Toʻrtta bir xil GMS qurilmalaridan iborat Wheatstone koʻprigi yagona magnit maydonga sezgir emas, faqat maydon yoʻnalishlari qoʻshni koʻprik oyoqlarida antiparallel boʻlganda javob beradi. 2003-yilda namoyish etilgan shunga oʻxshash qurilmalar chiziqli chastotali javobga ega boʻlgan oqim rektifikatorlari sifatida ishlatilishi mumkin. Bunday koʻprikning toʻrtta mustaqil oqimga (transpinor, {{lang-en|transpinnor}}) umumlashtirilgan sxemasi 2002-yilda Xiongte Bai tomonidan yaratilgan va mantiqiy eshik sifatida ishlatilishi mumkin<ref name="phys_tue-Coehoorn2" /><ref name="Torok02">{{статья|автор=Torok, E. J.; Zurn, S.; Sheppard, L. E.; Spitzer, R.; Seongtae Bae; Judy, J. H.; Egelhoff, W. F. Jr.; Chen, P. J.|заглавие=„Transpinnor“: A new giant magnetoresistive spin-valve device|год=2002|язык=und|издание=INTERMAG Europe 2002. Digest of Technical Papers. 2002 IEEE International|страницы=AV8|isbn=0-7803-7365-0|doi=10.1109/INTMAG.2002.1000768}}</ref>.

== Yana qarang ==
* [[Spintronika]]
* Yarim metall ferromagnit
* RKKI – almashinuv oʻzaro taʼsiri
* Magnetor qarshilik
* Anizotrop magnit qarshilik
* Tunnel magnit qarshiligi

== Eslatmalar ==
=== Izohlar ===
<references group="Izoh"/>

=== Manbalar ===
{{manbalar}}

== Adabiyotlar ==
{{refbegin}}

=== Maqolalar ===
* {{статья
| автор    = Ферт А.
| заглавие = Происхождение, развитие и перспективы спинтроники
| ссылка   = http://ufn.ru/ufn08/ufn08_12/Russian/r0812_nob_b.pdf
| язык     = ru
| издание  = УФН 
| год      = 2008
| том      = 178
| номер    = 12
| страницы = 1336—1348
| doi      = 10.3367/UFNr.0178.200812f.1336
}}

* {{статья
|заглавие=Layered Magnetic Structures: Evidence for Antiferromagnetic Coupling of Fe Layers across Cr Interlayers
|издание=[[Physical Review Letters]]
|том=57
|номер=19
|страницы=2442—2445
|doi=10.1103/PhysRevLett.57.2442
|ссылка=http://link.aps.org/abstract/PRL/v57/p2442
|pmid=10033726
|язык=en
|тип=journal
|автор=P. Grünberg, R. Schreiber, Y. Pang, M. B. Brodsky, and H. Sowers
|год=1986}}
* {{статья
|заглавие=A unified theory of CIP and CPP giant magnetoresistance in magnetic sandwiches
|издание=[[Journal of Magnetism and Magnetic Materials|JMMM]]
|том=172
|номер=1—2
|страницы=53—60
|doi=10.1016/S0304-8853(97)00081-4
|язык=en
|тип=journal
|автор=A. Vedyayev, M. Chshiev, N. Ryzhanova, B. Dieny, C. Cowache and F. Brouers
|год=1997}}
* {{статья
|заглавие=Modification of the Landau-Lifshitz equation in the presence of a spin-polarized current in colossal- and giant-magnetoresistive materials
|издание=PRB
|том=57
|номер=6
|страницы=R3213—R3216
|doi=10.1016/S0304-8853(97)00081-4
|язык=en
|тип=journal
|автор=Bazaliy, Y. B., Jones, B. A. and Zhang, S.-C.
|год=1998}}

=== Kitob ===
* {{Kitob manbasi
 |author-link   = Hirota, E., Sakakima, H., Inomata, K.
 |title         = Giant Magneto-Resistance Devices
 |publisher     = Springer
 |date          = 2002
 |allpages      = 177
 |isbn          = 978-3-540-41819-1
}}
* {{Kitob manbasi
 |author-link   = Adrian D. Torres, Daniel A. Perez.
 |title         = Giant Magnetoresistance: New Research
 |publisher     = Nova Science Publishers
 |date          = 2008
 |allpages      = 289
 |isbn          = 9781604567335
}}
* {{Kitob manbasi
 |author-link   = Nicola A. Spaldin.
 |title         = Magnetic Materials: Fundamentals and Applications
 |edition       = 2nd ed
 |место         = Cambridge University Press
 |date          = 2010
 |allpages      = 288
 |isbn          = 9780521886697
}}
* {{Kitob manbasi
 |author-link   = Peter R. Savage.
 |title         = Giant Magnetoresistance: Technology and Markets for Sensors, Disk Storage, Mram, and Spintronics
 |publisher     = John Wiley & Sons Inc
 |date          = 2000
 |volume        = 276
 |allpages      = 136
 |серия         = Technical insights
 |isbn          = 9780471414162
}}
* {{cite journal | title = Giant Magnetoresistance of (001)Fe/(001)Cr Magnetic Superlattices
 | last1 = Baibich | first1 = M. N.
 | last2 = Broto | first2 = J. M.
 | last3 = Fert | first3 = A.
 | last4 = Nguyen Van Dau | first4 = F.
 | last5 = Petroff | first5 = F.
 | last6 = Etienne | first6 = P.
 | last7 = Creuzet | first7 = G.
 | last8 = Friederich | first8 = A.
 | last9 = Chazelas | first9 = J.
 | journal = Physical Review Letters
 | year = 1988 | volume = 61 | issue = 21 | pages = 2472–2475
 | bibcode = 1988PhRvL..61.2472B | doi = 10.1103/PhysRevLett.61.2472 | pmid = 10039127
| doi-access = free| hdl = 10183/99075| hdl-access = free}}
* {{cite book| title = Concise encyclopedia of magnetic and superconducting materials | edition = 2nd
 | last = Buschow | first = K. H. J. | year = 2005
 | publisher = Elsevier
 | isbn = 978-008044586-1
}}
* {{Cite book| title = Giant Magnetoresistance (GMR) Sensors - From Basis to State-of-the-Art Applications
 | last1 = Reig | first1 = Candid
 | last2 = Cardoso | first2 = Susana
 | last3 = Mukhopadhyay | first3 = Subhas Chandra
 | year = 2013
 | publisher = Springer
 | url = https://www.springer.com/cn/book/9783642371714
 | doi = 10.1007/978-3-642-37172-1 | isbn = 978-3-642-37171-4
}}
* {{Cite book| title = Nanomagnetism and Spintronics
 | last = Shinjo | first = Teruya
 | publisher = Elsevier
 | url = https://books.google.com/books?id=0fLXcCl3HikC
 | date = 29 June 2009
 | isbn = 978-008093216-3
}}
* {{cite book
 | script-title = uk:Фізичні основи спінової електроніки
 | trans-title = Physical foundations of spin electronics
 | last1 = Tretyak | first1 = O. V.
 | last2 = Lvov | first2 = V. A.
 | last3 = Barabanov | first3 = O. V.
 | year = 2002
 | publisher = [[Kiev University]]
 | language = uk
 | isbn = 966-594-323-5
}}
* {{cite book| chapter = Perspectives of Giant Magnetoresistance
 | last1 = Tsymbal | first1 = E. Y.
 | last2 = Pettifor | first2 = D. G.
 | year = 2001
 | title = Solid state physics
 | editor1-last = Spaepen | editor1-first = Frans
 | editor2-last = Seitz | editor2-first = Frederick
 | editor3-last = Turnbull | editor3-first = David
 | editor4-last = Ehrenreich | editor4-first = Henry
 | publisher = Academic Press
 | volume = 56 | series = Solid State Physics: Advances in Research and Applications
 | isbn = 978-012607756-8
}}
{{refend}}

== Havolalar ==
* {{cite web| url        =http://www.nkj.ru/archive/articles/12042/| title        =Нобелевские премии 2007 года. Гигантское магнетосопротивление — триумф фундаментальной науки| author        =О. Баклицкая| date        =| work        =| publisher        =[[Ilm va hayot]]| access-date        =2011-02-27| lang        =| archive-url        =https://web.archive.org/web/20120325064748/http://www.nkj.ru/archive/articles/12042/| archive-date        =2012-03-25| url-status        =dead}}
* {{cite web| url        =http://elementy.ru/news/430612| title        =Нобелевская премия по физике — 2007| author        =И. Иванов| date        =2007-10-16| work        =| publisher        =[[Element.ru]]| access-date        =2011-04-27| lang        =| archive-url        =https://www.webcitation.org/60pw6R153?url=http://elementy.ru/news/430612| archive-date        =2011-08-10}}
* {{cite web
 |url         = http://danp.sinp.msu.ru/MagNanoS/L14.pdf
 |title       = Zamonaviy magnit saqlash vositalari. Magnit yozish va ijro etish qurilmalari. Magneto-optik saqlash vositalari.
 |publisher   = D.&nbsp;V.&nbsp;Skobeltsyna nomidagi Yadro fizikasi ilmiy-tadqiqot instituti 
 |access-date  = 2011-04-30
 |archive-url  = https://www.webcitation.org/60pw7SAlQ?url=http://danp.sinp.msu.ru/MagNanoS/L14.pdf
 |archive-date = 2011-08-10
}}
* {{cite web
 |url         = http://users.physik.fu-berlin.de/~ag-pascual/Vorlesung/WS05/Slides/WS05-06%20AdMat%20IT%20-%20L4a.PDF
 |title       = Magnetism and magnetic materials
 |author      = Jose Ignacio Pascual
 |publisher   = Freie Universität Berlin
 |access-date  = 2011-05-14
 |description = Презентация, посвящённая основам магнетизма и эффекту гигантского магнетосопротивления
 |lang        = en
 |archive-url  = https://www.webcitation.org/60pw7vFn8?url=http://users.physik.fu-berlin.de/~ag-pascual/Vorlesung/WS05/Slides/WS05-06%20AdMat%20IT%20-%20L4a.PDF
 |archive-date = 2011-08-10
}}
* {{cite web
| url        =http://www.popmech.ru/article/2474-nobelevskoe-soprotivlenie
| title        =Нобелевское сопротивление: Премия за жесткие диски
| date        =2007-10-10
| work        =Журнал «[[Популярная механика]]»
| access-date        =2011-06-29| lang        =| archive-url        =https://web.archive.org/web/20120219210237/http://www.popmech.ru/article/2474-nobelevskoe-soprotivlenie/| archive-date        =2012-02-19| url-status        =dead}}
* [https://nationalmaglab.org/education/magnet-academy/learn-the-basics/stories/giant-magnetoresistance Giant Magnetoresistance: The Really Big Idea Behind a Very Tiny Tool] National High Magnetic Field Laboratory
* [http://www.research.ibm.com/research/gmr.html Presentation of GMR-technique (IBM Research)] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20120111051257/http://www.research.ibm.com/research/gmr.html |date=11 January 2012 }}

{{Authority control}}
{{Portal|Fizika}}

[[Turkum:Qattiq jismlar fizikasi]]
[[Turkum:Galvanomagnetik taʼsirlar]]
[[Turkum:Kvant elektronika]]
[[Turkum:Kvant hodisalari]]
[[Turkum:Magnetizm]]
[[Turkum:Spintronika]]
[[Turkum:Magnetoqarshilik]]
[[Turkum:Kompyuterni saqlash texnologiyalari]]
[[Turkum:Nanotexnologiya]]